芯片產(chǎn)能告急時刻，越來越多國產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)站了出來。

6月23日，賽晶科技(全稱“賽晶科技集團(tuán)有限公司”，0580.HK)首條IGBT生產(chǎn)線正式竣工投產(chǎn)，IGBT生產(chǎn)線進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

該生產(chǎn)線的正式投產(chǎn)對于緩解眼下“芯荒”而言具有一定作用。賽晶集團(tuán)的創(chuàng)始人，現(xiàn)任董事會主席項(xiàng)頡向記者表示，“一旦公司產(chǎn)品批量供貨，項(xiàng)目產(chǎn)能釋放，就會迅速幫助市場與企業(yè)解決缺貨問題，緩解供需失衡的現(xiàn)狀”。

目前中國大陸處于功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)鏈的相對末端，產(chǎn)品以二極管、晶閘管、低壓 MOSFET等低功率半導(dǎo)體器件為主，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%。

MOSFET 和 IGBT等功率器件正逐漸成為主流，其中，IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，被視為電力領(lǐng)域的“CPU”，對新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、節(jié)能環(huán)保等眾多國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具有重要意義。國家“十四五”規(guī)劃，將IGBT列為了亟待攻關(guān)的科技前沿領(lǐng)域之一。

《華夏時報(bào)》記者了解到，該公司于2019年3月正式啟動了自主技術(shù)IGBT項(xiàng)目。隨后，2019年7月賽晶IGBT項(xiàng)目正式簽約落戶嘉善，2020年6月賽晶IGBT生產(chǎn)基地動工建設(shè)，同年9月賽晶首款I(lǐng)GBT芯片和模塊產(chǎn)品正式推出。

據(jù)悉，公司IGBT項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)2條IGBT芯片背面工藝生產(chǎn)線、5條IGBT模塊封裝測試生產(chǎn)線，建成后年產(chǎn)能達(dá)200萬件IGBT模塊產(chǎn)品。該公司IGBT產(chǎn)品應(yīng)用將涵蓋600V至1700V的中低壓領(lǐng)域，面向電動汽車、光伏風(fēng)電、工業(yè)變頻等市場。

記者發(fā)現(xiàn)，“電動車三賢士之一”和“亞洲電動車之父”，中國工程院院士陳清泉也出席當(dāng)天生產(chǎn)線投產(chǎn)儀式并致辭。陳清泉院士對賽晶科技在內(nèi)的科技創(chuàng)新企業(yè)提出前瞻性、獨(dú)特性、高端性等三方面期許，建議企業(yè)應(yīng)該要更加注重人才和核心技術(shù)的培育創(chuàng)新，重視政府政策的驅(qū)動，在經(jīng)營方面，應(yīng)該要更加了解市場，懂得市場，并善于利用金融的力量謀發(fā)展。

項(xiàng)頡說，賽晶科技擁有近20年的功率半導(dǎo)體行業(yè)積淀。“賽晶科技將會加快IGBT系列產(chǎn)品的研發(fā)、推進(jìn)后續(xù)生產(chǎn)線的建設(shè)，力爭盡早讓賽晶品牌IGBT出現(xiàn)在千千萬萬的電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、工業(yè)變頻設(shè)備中。”

據(jù)本報(bào)記者了解，項(xiàng)頡曾在ABB半導(dǎo)體公司工作，目前賽晶科技的核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)也都均有非常資深半導(dǎo)體研究經(jīng)驗(yàn)。作為世界范圍內(nèi)電力電子技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)的領(lǐng)先企業(yè)，賽晶科技正力爭實(shí)現(xiàn)“功率半導(dǎo)體及配套器件”和“新興電力技術(shù)”兩大產(chǎn)業(yè)集群的快速發(fā)展。

賽晶科技于2010年在港交所上市，最新市值為54.14億港元。截至6月23日，賽晶科技在港股表現(xiàn)異常突出，收盤價3.31港元/股，與一個月前相比，漲幅約達(dá)50%。

賽晶科技表示，IGBT生產(chǎn)線的投產(chǎn)有助于提高公司的市場競爭力，對未來的經(jīng)營業(yè)績帶來積極影響。由于生產(chǎn)線從投產(chǎn)到達(dá)產(chǎn)尚需一定時間，預(yù)期產(chǎn)能的釋放需要過程，同時，短期內(nèi)還有固定成本增加的壓力。敬請投資者注意投資風(fēng)險(xiǎn)。

除IGBT等功率器件備受市場關(guān)注之外，第三代半導(dǎo)體作為后摩爾時代實(shí)現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一，也受到資本熱捧。

第三代半導(dǎo)體核心環(huán)節(jié)是材料方面的創(chuàng)新，主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域包括電動汽車、光伏等功率、5G 射頻、手機(jī)快充等。根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，到 2020 年底，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入到 2029 年將超過 50 億美元。

業(yè)界人士告訴記者，整體而言，我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展較快，已經(jīng)進(jìn)入廣泛產(chǎn)業(yè)化和收益階段，逐漸具備與國際巨頭齊頭并進(jìn)和換道超車的基礎(chǔ)條件。據(jù)悉，當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體是國家重要的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，也是我國省、市重點(diǎn)支持的先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。

《華夏時報(bào)》記者獲悉，6月23日當(dāng)天，湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目一期也宣布正式在長沙投產(chǎn)。依據(jù)三安光電說法，這是國內(nèi)首條全球第三條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線，項(xiàng)目總投資160億元，可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。在業(yè)界看來，這是國內(nèi)LED芯片龍頭三安光電(600703.SH)向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)張的重要一步。

湖南三安半導(dǎo)體基地全部建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)年銷售額120億元，年貢獻(xiàn)稅收17億元，將促進(jìn)我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)加快發(fā)展。記者 林堅(jiān) 陳鋒 浙江報(bào)道